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Hi3516EV300专业型HD IP Camera SoC
来源:cnblogs  作者:牛牛00  时间:2019/4/28 8:45:44  对本文有异议

Hi3516EV300芯片特点:

处理器内核

ARM Cortex A7@ 900MHz,32KB I-Cache,32KB D-Cache /128KB L2 cache

支持 Neon 加速,集成 FPU 处理单元

视频编码

H.264 BP/MP/HP,支持 I/P 帧

H.265 Main Profile,支持 I/P 帧

MJPEG/JPEG Baseline 编码

视频编码处理性能

H.264/H.265 编码可支持最大分辨率为 2688x1520,宽度最大 2688

H.264/H.265 多码流实时编码能力:

− 2048x1536@30fps+720x576@30fps

− 2304x1296@30fps+720x576@30fps

− 2688x1520@15fps+720x576@15fps

支持 JPEG 抓拍 4M(2688x1520)@5fps

支持 CBR/VBR/FIXQP/AVBR/QPMAP/CVBR 六种码率控制模式

支持智能编码模式

输出码率最高 60Mbps

支持 8 个感兴趣区域(ROI)编码

智能视频分析

集成 IVE 智能分析加速引擎

支持智能运动侦测、周界防范、视频诊断等多种智能分析应用

视频与图形处理

支持 3D 去噪、图像增强、动态对比度增强处理功能

支持视频、图形输出抗闪烁处理

支持视频、图形 1/15~16x 缩放功能

支持视频图形叠加

支持图像 90、180、270 度旋转

支持图像 Mirror、Flip 功能

8 个区域的编码前处理 OSD 叠加

ISP

支持 4x4 Pattern RGB-IR sensor

3A(AE/AWB/AF),支持第三方 3A 算法

固定模式噪声消除、坏点校正

镜头阴影校正、镜头畸变校正、紫边校正

方向自适应 demosaic

gamma 校正、动态对比度增强、色彩管理和增强

区域自适应去雾

多级降噪(BayerNR、3DNR)以及锐化增强

Local Tone mapping

Sensor Built-in WDR

2F-WDR 行模式/2F-WDR 帧模式

数字防抖

音频编解码

通过软件实现多协议语音编解码

协议支持 G.711、G.726、ADPCM

支持音频 3A(AEC、ANR、AGC)功能

安全引擎

硬件实现 AES/RSA 多种加解密算法

硬件实现

- HASH(SHA1/SHA256/HMAC_SHA1/HMAC_SHA256)

内部集成 32Kbit 一次性编程空间和随机数发生器

视频接口

输入

− 支持8/10/12bit RGB Bayer DC时序视频输入,支持BT.1120输入

− 支持MIPI、LVDS/Sub-LVDS、HiSPi接口

− 支持与SONY、ON、OmniVision、Panasonic等主流高清CMOS sensor对接

− 兼容多种sensor并行/差分接口电气特性

− 提供可编程sensor时钟输出

− 支持输入最大分辨率为2688x1520

输出

− 支持6/8/16bit LCD输出

− 支持BT656/BT1120输出

音频接口

集成 Audio codec,支持 16bit 语音输入和输出

支持双声道 mic/ line in 输入

支持双声道 line out 输出

支持 I 2S 接口,支持对接外部 Audio codec

外围接口

支持 POR

集成高精度 RTC

集成 4 通道 LSADC

3 个 UART 接口

支持 IR、I 2C、SPI、GPIO 等接口

4 个 PWM 接口

2 个 SDIO2.0 接口

1 个 USB 2.0 HOST/Device 接口

集成 FE PHY;支持 TSO 网络加速

集成 PMC 待机控制单元

外部存储器接口

SDRAM 接口

− 内置1Gbit DDR3/DDR3L

SPI NOR Flash 接口

− 支持1、2、4线模式

− 最大容量支持256MB

SPI NAND Flash 接口

− 支持1、2、4线模式

− 最大容量支持1GB

eMMC5.0 接口

启动

可选择从 SPI NOR Flash、SPI NAND Flash 或 eMMC启动

支持安全启动

SDK

提供基于 Huawei LiteOS/Linux-4.9 SDK 包

提供 H.264 的高性能 PC 解码库

提供 H.265 的高性能 PC、Android、iOS 解码库

芯片物理规格

功耗

− 3M30/4M15场景,1W典型功耗

工作电压

− 内核电压为0.9V

− IO电压为3.3V(+/-10%)

− DDR3 SDRAM接口电压为1.5V

− DDR3L SDRAM接口电压为1.35V

封装

− 12mm x 13.3mm,279pin 0.65mm管脚间距, TFBGA 封装

原文链接:http://www.cnblogs.com/16rd/p/10775432.html

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